真空镀膜设备

真空镀膜设备

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2）蒸镀过程可编制工艺流程，实现手动、半自动、自动化控制 3）蒸发源、基片台以及掩膜机构等可根据用户工艺需求进行深度定制; 4）可实现多源有机、无机共蒸镀，可配多探头监控膜生长速率; 5）可配置离子源，对基片表面进行清洗 1）基片可自转及公转，膜材可旋转、切换，实现均匀镀膜	蒸发镀膜设备蒸发镀膜是在真空条件下通过电阻或电子束加热镀膜材料，使其原子或分子从表面蒸出，沉积到基片表面从而形成薄膜的技术，该技术具有使用范围广、薄膜厚度高度可控、技术成熟、成本低廉等特点。目前，真空蒸镀技术已经广泛应用于OLED、有机光伏、光学膜、新型半导体、装饰镀膜等领域，为一种不可缺少的镀膜技术。设计参数
磁控溅射镀膜设备溅射镀膜是在真空条件下，利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。溅射镀膜具有膜层和基体的附着力强，膜层均匀性好等优点，适合各种金属、氧化物、半导体薄膜的制备，广泛应用于光伏、LED、微电子、硬质薄膜等领域。设计参数	5）软硬件系统稳定可靠，人机交互界面友好，容错性能强，自动化水平高 1）溅射源可选直流、中频、射频、脉冲直流、直流偏压等多种配置 2）独到的靶磁路设计和布气设计，靶材利用率高、溅射效率快、膜层均匀性好； 3）支持圆靶、矩形靶、单靶、多靶、孪生靶、直冷靶、间冷靶； 4）基片可水冷、可加热、温区均匀性好，最高可加热至1000℃，亦可实现自转以及公转
6）可选用包括准分子激光器、固体紫外激光器在内的多种光源 5）可提供光路扫描设计 1）可搭配激光扫描及靶旋转系统； 2）基片可配加热及水冷系统，最高可加热至1000℃； 3）腔体水冷可防止真空室外壳过热； 4）靶基距可调整	脉冲激光沉积镀膜设备脉冲激光沉积是采用高功率脉冲激光对材料进行蒸发，并在基底上形成薄膜的方法。该技术适用面非常广，从单质、氧化物、氮化物到高分子均能沉积；并且由于该技术可精确控制化合物薄膜中各元素的相对比例，尤其适合沉积高精度的多元化合物薄膜，先广泛用于高温超导、铁电、压电、生物陶瓷、光磁记录等薄膜的制备。设计参数
离子束辅助沉积设备离子束辅助沉积是指在气相沉积镀膜的同时，采用低能离子束进行轰击，从而形成单质或化合物薄膜的技术，还可通过反射式高能电子衍射仪（RHEED）进行在线结构分析。该方法制备的薄膜具有高精度、高纯度、重复性和一致性好的优点，广泛应用于光学膜、传感器、光伏、半导体等领域。设计参数	2）可采用低温泵、溅射离子泵或钛升华泵实现高真空或超高真空系统; 3）多达6路的进气控制系统，满足各离子源的用气需求； 4）可优化溅射源、辅助源及靶的空间定位和装卡设计； 5）离子源可选矩形、圆形 1）反射式高能电子衍射仪（RHEED）系统协同设计，可实现在线薄膜质量分析
6）软件操作友好方便，具有一键抽真空、一键洗气功能，同时具有互锁功能，设备安全可靠 1）极限真空较高，抽真空速率快，兼顾洗气功能； 2）可测最低氧分压为10-15 Pa； 3）可设定多组复杂升温程序，最高升温速率可达1000℃/h，控温可达±0.1℃； 4）隔热腔为多层金属反射材料铆接，可根据不同退火温度选择保温材料，腔内保温效果好，加热均匀； 5）可根据客户要求，制作旋转工件台、增加快速淬火功能	真空退火设备真空退火炉是一种在保护气氛控制下进行热处理的多用炉，主要应用于各种金属材料或非金属材料的真空退火和去应力处理，适用于新材料开发、质量检测及军工、电子、医药、特种材料等的生产和实验。设计参数